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IRF100B201 |
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Infineon / IR |
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| 制造商 | Infineon |
| 产品种类 | MOSFET |
| 技术 | Si |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 通道数量 | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Id-连续漏极电流 | 192 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 4.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2 V |
| Qg-栅极电荷 | 170 nC |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | 175 |
| Pd-功率耗散 | 441 W |
| 通道模式 | Enhancement |
| 商标名 | StrongIRFET |
| 封装 | Tube |
| 配置 | Single |
| 高度 | 15.65 mm |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值 | 278 S |
| 下降时间 | 100 ns |
| 产品类型 | MOSFET |
| 上升时间 | 97 ns |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 子类别 | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 典型接通延迟时间 | 17 ns |
| 零件号别名 | IRF100B201 SP001561498 |
| 单位重量 | 6 g |
